2.1- MEMÓRIA DIMM
DIMM significa “Double In Line Memory Module” ou Módulo de memória com dupla linha de contato.
A memória DIMM foi criada para agilizar o processo dos dados, atualmente temos outras memórias com outro nome e que utiliza os mesmos meios de fornecer os dados ao processador, ou seja com dupla linha de contato, não podemos esquecer que memória DIMM é o mesmo que memória DRAM, porque necessita do sistema refresh para manter os dados gravados na memória (capacitores e transistores).
Existe vários modelos de memória DIMM, as SDR utilizado antigamente que possuem dois chanfros. As DDR que possuem apenas um chanfro e a tensão utilizada é de 2,5 V. E as DDR2 que tem apenas um chanfro e a tensão é de 1,8 V para de diferenciar da DDR a localização do chanfro é próximo do canto do módulo tornando assim diferente o Hardware. Foi utilizado este procedimento de mudança no Hardware para que não seja possível encaixar os modulos em placas incompatível e evitando até mesmo uma queima já que as tensão são diferentes. E a DDR3 que é uma melhoria em cima da DDR2, trabalha com uma voltagem de 1,5V consumindo cerca de 30% menos de energia.
2.2- O QUE SÃO MEMORIAS DDR?
DDR são memórias do tipo SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) significa que elas utilizam um sinal de clock para sincronizar suas transferências. DDR significa Double Data Rate ou Taxa de Transferência Dobrada, e memórias desta categoria transferem dois dados por pulso de clock. Elas conseguem obter o dobro do desempenho de memórias sem este recurso trabalhando com o mesmo clock (memórias SDRAM, que não estão mais disponíveis para PCs. A temporização para um burst de 8 leituras, usando memórias DDR, seria 5-½-½-½-½-½-½-½ (8.5 ciclos) ao invés de 5-1-1-1-1-1-1-1 (12 ciclos) como num módulo SDR. A diferença é menor em bursts menores, de apenas duas ou quatro leituras.
2.3- DDR2
Seguindo a tendência inaugurada pelas memórias DDR, as DDR2 novamente duplicam a taxa de transferência, realizando agora 4 operações por ciclo. Novamente, as células de memória continuam trabalhando na mesma freqüência anterior e o acesso inicial continua demorando aproximadamente o mesmo tempo. Entretanto, as demais operações dentro do burst passam a ser realizadas em apenas um quarto de ciclo de clock. Usando memórias DDR2, um burst de 8 leituras demoraria apenas 6.75 ciclos de clock (5-¼-¼-¼-¼-¼-¼-¼), contra 8.5 ciclos nas DDR e 12 nas SDR. Quando os primeiros módulos DDR2-533 chegaram ao mercado, eles rapidamente ganharam a fama de "lentos", pois eram comparados a módulos DDR-400 ou DDR-466, que já estavam entrincheirados. Embora um módulo DDR2 ganhe de um DDR da mesma freqüência em todos os quesitos o mesmo não acontece se comparamos módulos de freqüências diferentes.
As vantagens da DDR2 são :
Redução de consumo (de 2,5 para 1,8V)
Redução térmica (graças à redução de voltagem)
Aumento de freqüência (de 400MHz para 533, 667, 800 ...)
2.4 – DDR3
Como sugere a lógica, as memórias DDR3 realizam 8 acessos por ciclo, contra os 4 acessos por ciclo das memórias DDR2. Assim como na tecnologia anterior, os acessos são realizados a endereços subjacentes, de forma que não existe necessidade de aumentar a freqüência “real” das células de memória.
Inicialmente, os módulos DDR3 foram lançados em versão DDR3-1066 (133 MHz x 8) e DDR3-1333 (166 MHz x 8), seguidos pelo padrão DDR3-1600 (200 MHz x 8). Os três padrões são também chamados de (respectivamente) PC3-8500, PC3-10667 e PC3-12800, nesse caso dando ênfase à taxa de transferência teórica.
Apesar do aumento no número de transferências por ciclo, os buffers de dados continuam trabalhando a apenas o dobro da freqüência das células de memória. Ou seja, a freqüência interna (das células de memória) de um módulo DDR3-1600 é de 200 MHz e a freqüência externa (dos buffers de dados) é de 400 MHz. As células de memória realizam 8 transferências por ciclo de clock (em vez de 4, como nas DDR2) e os buffers de dados (que operam ao dobro da freqüência) realizam 4 transferências por ciclo de clock, em vez de apenas duas, como nos módulos DDR2.
Com isso, chegamos à freqüência de 1600 MHz divulgada, que, como pode ver, é obtida através do aumento do número de transferências realizadas por ciclo e não através do aumento do clock “real” das células de memória ou dos buffers de dados. Se as mudanças parassem por aí, os módulos DDR3 não ofereceriam ganhos muito grandes na prática, pois o tempo de latência inicial continuaria sendo o mesmo que nos módulos DDR2 (já que não houve mudança na freqüência das células de memória). Se um módulo DDR3 operasse com tempos de acesso 10-10-10-30, os ganhos seriam pequenos em relação a um DDR2 5-5-5-15, já que só haveria ganho nos acessos subseqüentes.
Para evitar isso, os módulos DDR3 incluem um sistema integrado de calibragem do sinal, que melhora de forma considerável a estabilidade dos sinais, possibilitando o uso de tempos de latência mais baixos, sem que a estabilidade seja comprometida.
Os módulos DDR3 utilizam também 8 bancos em vez de 4, o que ajuda a reduzir o tempo de latência em módulos de grande capacidade. Elas também trouxeram uma nova redução na tensão usada, que caiu para apenas 1.5V, ao invés dos 1.8V usados pelas memórias DDR2. A redução na tensão faz com que o consumo elétrico dos módulos caia proporcionalmente, o que os torna mais atrativos para os fabricantes de notebooks.
Somadas todas essas melhorias, os tempos de acesso “reais” dos módulos foram sensivelmente reduzidos. Em vez de trabalharem com tempos de acesso 10-10-10-30, a geração inicial de módulos DDR3 é capaz de trabalhar com temporização 9-9-9-24, ou mesmo 7-7-7-15.
Apesar disso, muitos módulos de alto desempenho podem precisar de tensões mais altas, como 1.6V ou mesmo 1.7V para trabalharem na freqüência máxima. Assim como no caso dos módulos DDR2, os fabricantes podem ajustar a tensão de operação de acordo com as necessidades do projeto e você pode também utilizar tensões mais altas por conta própria ao fazer overclock.
Os módulos DDR3 utilizam os mesmos 240 contatos dos módulos DDR2 e mantém o mesmo formato. A única diferença visível (fora etiquetas e códigos de identificação) é a mudança na posição do chanfro, que passou a ser posicionado mais próximo do canto do módulo. O chanfro serve justamente para impedir que módulos de diferentes tecnologias sejam encaixados em placas incompatíveis
As memórias DDR2 demoraram quase 3 anos para se popularizarem desde a introdução do chipset i915P, em 2004. As memórias DDR3 devem passar por um caminho similar, com os módulos inicialmente custando muito mais caro e caindo ao mesmo nível de preço dos módulos DDR2 apenas por volta de 2009. Não existe nada de fundamentalmente diferente nos módulos DDR3 que os torne mais caros de se produzir, o preço é determinado basicamente pelo volume de produção.
Assim como no caso das memórias DDR2, a maior taxa de transferência oferecida pelas memórias DDR3 resulta em um ganho relativamente pequeno no desempenho global do sistema, de apenas 1 a 3% na maioria dos aplicativos, por isso não vale a pena pagar muito mais caro por módulos DDR3 ao comprar. Enquanto eles estiverem substancialmente mais caros, continue comprando (e indicando) placas com suporte a módulos DDR2.
Até o momento, o uso de memórias DDR3 está limitado à plataforma Intel, com os chipsets P35, G33, G35 e X38. No caso da AMD, a adoção ainda está indefinida, já que o suporte às memórias DDR3 depende de uma nova mudança no controlador de memória integrado e (possivelmente) também no soquete usado pelos processadores. Além disso, a história mostra que a Intel é quase sempre a primeira a adotar e popularizar novas tecnologias (como as memórias DDR2 e o PCI-Express), enquanto a AMD geralmente prefere esperar até que elas estejam maduras e o custo tenha caído.
2.5 – DDR5
Este artigo é sobre RAM DDR5 gráficos (SGRAM
GDDR5 (Graphics Double Data Rate, versão 5) é um tipo de alto desempenho da placa gráfica de memória de computador projetados para aplicações que requerem elevada definição de banda. Ao contrário de seu antecessor, GDDR4 , GDDR5 é baseado em SDRAM DDR3 de memória que tem o dobro de linhas de dados em relação à memória DDR2 SDRAM , mas GDDR5 também tem 8-bit prefetch buffers semelhante a GDDR4 .
GDDR5 SGRAM está em conformidade com as normas que foram estabelecidas no caderno de encargos GDDR5 pela JEDEC . Ele usa um 8n- prefetch arquitetura e DDR interface para atingir o funcionamento de alto desempenho e pode ser configurado para operar em modo × 32 × 16 ou garra) modo (que é detectado durante a inicialização do dispositivo. O interface de memória GDDR5 duas transferências de 32 bits de largura palavras de dados por ciclo de gravação (WCK) relógio de / para os pinos de I / O. Correspondente ao 8n prefetch, uma única gravação ou acesso de leitura consiste em uma de 256 bits e dois de largura relógio CK ciclo de transferência de dados na memória interna do núcleo e oito correspondentes de 32 bits de largura a meia WCK dados do relógio do ciclo de transferências na I / O pins.
GDDR5 opera com dois tipos diferentes de relógio. Um relógio de comando diferencial (CK) como referência para as entradas de endereço e de comando, e um diferencial enviada escrever relógio (WCK) como referência para os dados lê e grava. Sendo mais preciso, a SGRAM GDDR5 usa dois relógios de escrever, cada um deles atribuído a dois bytes. O WCK corre ao dobro da CK freqüência. Tomando uma GDDR5 com 5 Gbit / s de taxa de dados por pino como exemplo, o relógio CK é executado com 1,25 GHz e 2,5 GHz com WCK. Os relógios CK e WCK será alinhado durante a inicialização e seqüência de treinamento. Este alinhamento permite ler e escrever de acesso com o mínimo de latência.
Um único chip de 32 bits GDDR5 tem cerca de 67 pinos de sinal eo restante são de poder e razão no 170 BGA pacote.
Qimonda , uma spin-off da Infineon , tem demonstrado e provado GDDR5, [1] e divulgou um documento sobre as tecnologias por trás de memória GDDR5. [2] Em 10 de maio de 2008, a Qimonda anunciou a produção de volume de 512 Mbit GDDR5 módulos com 3,6 Gbit / s (900 MHz ), 4,0 Gbit / s (1 GHz) e 4,5 Gbit / s (1,125 GHz). [3], [ informação datada ]
Hynix Semiconductor introduziu o primeiro da indústria 1 Gib memória GDDR5. Ele suporta uma largura de banda de 20 GB / s em um barramento de 32 bits, que permite configurações de memória de 1 GiB de 160 GB / s com apenas 8 circuitos em um barramento de 256 bits. 2 Gb de memória GDDR5 da Hynix apresenta a 7 GHz. O GDDR5 recém-desenvolvido é o mais rápido e maior densidade de memória gráfica disponível no mercado. Ela opera em 7 eficaz GHz e os processos de até 28 GB / s com 32-bit I / O. 2 Gbit chips de memória GDDR5 vai permitir placas de vídeo com 2 GiB ou mais de memória onboard com 224 GB / s ou maior largura de banda de pico. A memória fabricante alega que o novo chip será na demanda no segundo semestre de 2010.
Em 25 de junho de 2008, a AMD se tornou a primeira empresa a lançar produtos usando a memória GDDR5 com a sua Radeon HD 4870 placa de vídeo da série, incorporando de 512 módulos de memória Qimonda Mbit em 3,6 Gbit / s de largura de banda
Características
A vantagem do modo de garra é que os usuários são capazes de reagir rapidamente às condições de mercado que mudam facilmente criar novos produtos
variações. Por exemplo, tomando o mesmo componente do inventário, utilizando o mesmo controlador, layout PCB e do canal de memória
largura, o usuário pode decidir sobre o tamanho real em um framebuffer fase muito tardia do processo de fabricação por
• • quer preencher apenas um lado do PCB e configurar o modo de memória GDDR5 a x32, o que resulta por exemplo, em um framebuffer de 1GB
usando 8 pedaços de 1 Gbit com um pouco grande interface de memória-256 no tratamento;
• • ou preenchendo ambos os lados do PCB e configurar o GDDR5 para x16, o que resulta por exemplo, em um framebuffer de 2GB usando
16 pedaços de 1 Gbit com um pouco grande interface de memória-256 no controlador.
Modo Clamshell não tem pena de desempenho, pois preserva o-a-ponto ponto de conexão no barramento de dados de alta velocidade. A
endereço comum e interface de comandos podem ser facilmente conectados por vias no PCB e do uso da modalidade função do espelho que permite que
estes pinos aparecer no local exacto oposto.
